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Microchip Technology - LND01K1-G

KEY Part #: K6404938

LND01K1-G Preços (USD) [281979pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.13439
  • 3,000 pcs$0.13372
Número da peça:
LND01K1-G
Fabricante:
Microchip Technology
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microchip Technology LND01K1-G electronic components. LND01K1-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LND01K1-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LND01K1-G Atributos do produto

Número da peça : LND01K1-G
Fabricante : Microchip Technology
Descrição : MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 9V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 330mA (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : +0.6V, -12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 46pF @ 5V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 360mW (Ta)
Temperatura de operação : -25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-5
Pacote / caso : SC-74A, SOT-753
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