DMT6007LFG-13 Preços (USD) [181579pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20370
- 3,000 pcs$0.18028
- Número da peça:
- DMT6007LFG-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI333.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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DMT6007LFG-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMT6007LFG-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI333
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
15A (Ta), 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
41.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2090pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI3333-8
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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