IRFBG30PBF Preços (USD) [40837pcs Estoque]
- 1 pcs$0.83620
- 10 pcs$0.75467
- 100 pcs$0.60641
- 500 pcs$0.47164
- 1,000 pcs$0.39079
- Número da peça:
- IRFBG30PBF
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFBG30PBF electronic components. IRFBG30PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBG30PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFBG30PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFBG30PBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
980pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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