DMN2020LSN-7 Preços (USD) [618813pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05977
- 3,000 pcs$0.05384
- Número da peça:
- DMN2020LSN-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2020LSN-7 electronic components. DMN2020LSN-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2020LSN-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2020LSN-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN2020LSN-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1149pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
610mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-59-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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