Diodes Incorporated - DMG1013UW-7

KEY Part #: K6420721

DMG1013UW-7 Preços (USD) [1370277pcs Estoque]

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Número da peça:
DMG1013UW-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG1013UW-7 Atributos do produto

Número da peça : DMG1013UW-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 820mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.622nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 59.76pF @ 16V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 310mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-323
Pacote / caso : SC-70, SOT-323

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