TK2P60D(TE16L1,NQ) Preços (USD) [232755pcs Estoque]
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- 2,000 pcs$0.17480
- Número da peça:
- TK2P60D(TE16L1,NQ)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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TK2P60D(TE16L1,NQ) Atributos do produto
Número da peça :
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Series :
π-MOSVII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PW-MOLD
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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