Texas Instruments - CSD25483F4T

KEY Part #: K6416564

CSD25483F4T Preços (USD) [612210pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06042
  • 250 pcs$0.05656
  • 1,250 pcs$0.02658

Número da peça:
CSD25483F4T
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V LGA.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD25483F4T Atributos do produto

Número da peça : CSD25483F4T
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET P-CH 20V LGA
Series : FemtoFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 205 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.96nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : -12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 198pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 3-PICOSTAR
Pacote / caso : 3-XFDFN

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