Diodes Incorporated - DMN62D1SFB-7B

KEY Part #: K6416362

DMN62D1SFB-7B Preços (USD) [30530pcs Estoque]

  • 10,000 pcs$0.03628

Número da peça:
DMN62D1SFB-7B
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN62D1SFB-7B Atributos do produto

Número da peça : DMN62D1SFB-7B
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 410mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 40mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 80pF @ 40V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 470mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Pacote / caso : 3-UFDFN

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