[8554pcs Estoque]
- Número da peça:
- BS170G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor BS170G electronic components. BS170G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BS170G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BS170G Atributos do produto
Número da peça :
BS170G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
500mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
60pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
350mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-92-3
Pacote / caso :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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