SIHJ10N60E-T1-GE3 Preços (USD) [28253pcs Estoque]
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- 10 pcs$1.28156
- 100 pcs$0.97685
- 500 pcs$0.75977
- 1,000 pcs$0.62952
- Número da peça:
- SIHJ10N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHJ10N60E-T1-GE3 electronic components. SIHJ10N60E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHJ10N60E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHJ10N60E-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIHJ10N60E-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
Series :
E
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
784pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
89W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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