Rohm Semiconductor - R6076ENZ1C9

KEY Part #: K6398684

R6076ENZ1C9 Preços (USD) [9140pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.95787
  • 10 pcs$4.46121
  • 100 pcs$3.66803
  • 500 pcs$3.07320

Número da peça:
R6076ENZ1C9
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 76A TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6076ENZ1C9 Atributos do produto

Número da peça : R6076ENZ1C9
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 76A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6500pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 120W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3

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