BSD214SNH6327XTSA1 Preços (USD) [1078428pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03430
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- Número da peça:
- BSD214SNH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1 electronic components. BSD214SNH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSD214SNH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSD214SNH6327XTSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSD214SNH6327XTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 3.7µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.8nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
143pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT363-6
Pacote / caso :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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