ON Semiconductor - NTMFS5H419NLT1G

KEY Part #: K6397181

NTMFS5H419NLT1G Preços (USD) [115488pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.32027

Número da peça:
NTMFS5H419NLT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
T8 40V LOW COSS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS5H419NLT1G Atributos do produto

Número da peça : NTMFS5H419NLT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : T8 40V LOW COSS
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Ta), 155A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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