FCH190N65F-F085 Preços (USD) [19350pcs Estoque]
- 1 pcs$2.12986
- Número da peça:
- FCH190N65F-F085
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCH190N65F-F085 electronic components. FCH190N65F-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCH190N65F-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCH190N65F-F085 Atributos do produto
Número da peça :
FCH190N65F-F085
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Series :
Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3181pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
208W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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