IXYS - IXFN80N50Q2

KEY Part #: K6401681

IXFN80N50Q2 Preços (USD) [2662pcs Estoque]

  • 1 pcs$17.16681
  • 10 pcs$17.08141

Número da peça:
IXFN80N50Q2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN80N50Q2 Atributos do produto

Número da peça : IXFN80N50Q2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 72A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 12800pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 890W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227B
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC

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