BVSS138LT1G Preços (USD) [993429pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03723
- 3,000 pcs$0.02642
- Número da peça:
- BVSS138LT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor BVSS138LT1G electronic components. BVSS138LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BVSS138LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BVSS138LT1G Atributos do produto
Número da peça :
BVSS138LT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
50V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
225mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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