IXTQ88N30P Preços (USD) [10219pcs Estoque]
- 1 pcs$4.43785
- 10 pcs$3.99230
- 100 pcs$3.28238
- 500 pcs$2.75010
- Número da peça:
- IXTQ88N30P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTQ88N30P electronic components. IXTQ88N30P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ88N30P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTQ88N30P Atributos do produto
Número da peça :
IXTQ88N30P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
Series :
PolarHT™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
88A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6300pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
600W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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