IXYS - IXTQ88N30P

KEY Part #: K6397562

IXTQ88N30P Preços (USD) [10219pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.43785
  • 10 pcs$3.99230
  • 100 pcs$3.28238
  • 500 pcs$2.75010

Número da peça:
IXTQ88N30P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ88N30P Atributos do produto

Número da peça : IXTQ88N30P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
Series : PolarHT™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 88A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 600W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3

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