IXYS - IXTH6N100D2

KEY Part #: K6398999

IXTH6N100D2 Preços (USD) [14843pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.05405
  • 10 pcs$2.74865
  • 100 pcs$2.26000
  • 500 pcs$1.89351
  • 1,000 pcs$1.64919

Número da peça:
IXTH6N100D2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH6N100D2 Atributos do produto

Número da peça : IXTH6N100D2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2650pF @ 25V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 (IXTH)
Pacote / caso : TO-247-3

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