IRFU13N20DPBF Preços (USD) [67281pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.49587
- 100 pcs$0.39180
- 500 pcs$0.28741
- 1,000 pcs$0.22690
- Número da peça:
- IRFU13N20DPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
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IRFU13N20DPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFU13N20DPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
235 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
830pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
IPAK (TO-251)
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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