[13836pcs Estoque]
- Número da peça:
- FDD3570
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD3570 electronic components. FDD3570 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD3570, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD3570 Atributos do produto
Número da peça :
FDD3570
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
76nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.4W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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