DMTH8003SPS-13 Preços (USD) [104073pcs Estoque]
- 1 pcs$0.37571
- Número da peça:
- DMTH8003SPS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH8003SPS-13 electronic components. DMTH8003SPS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH8003SPS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH8003SPS-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMTH8003SPS-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
124.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8952pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.9W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI5060-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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