DMTH10H010SCT Preços (USD) [68703pcs Estoque]
- 1 pcs$0.56912
- Número da peça:
- DMTH10H010SCT
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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DMTH10H010SCT Atributos do produto
Número da peça :
DMTH10H010SCT
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
56.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4468pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 187W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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