Vishay Siliconix - SI3437DV-T1-E3

KEY Part #: K6417177

SI3437DV-T1-E3 Preços (USD) [234782pcs Estoque]

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Número da peça:
SI3437DV-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3437DV-T1-E3 Atributos do produto

Número da peça : SI3437DV-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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