IXYS - IXTA26P20P

KEY Part #: K6399911

IXTA26P20P Preços (USD) [18053pcs Estoque]

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  • 100 pcs$1.92207
  • 500 pcs$1.55640
  • 1,000 pcs$1.31262

Número da peça:
IXTA26P20P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 200V 26A TO-263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA26P20P Atributos do produto

Número da peça : IXTA26P20P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET P-CH 200V 26A TO-263
Series : PolarP™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2740pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (IXTA)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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