BSP317PH6327XTSA1 Preços (USD) [242855pcs Estoque]
- 1 pcs$0.15230
- 1,000 pcs$0.13031
- Número da peça:
- BSP317PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
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BSP317PH6327XTSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSP317PH6327XTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
430mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 430mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 370µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15.1nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
262pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT223-4
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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