Infineon Technologies - IRF1010EPBF

KEY Part #: K6408937

IRF1010EPBF Preços (USD) [54689pcs Estoque]

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  • 500 pcs$0.34916
  • 1,000 pcs$0.27565

Número da peça:
IRF1010EPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF1010EPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF1010EPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 84A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3210pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 200W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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