NXP USA Inc. - PMR280UN,115

KEY Part #: K6405859

[1519pcs Estoque]


    Número da peça:
    PMR280UN,115
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in NXP USA Inc. PMR280UN,115 electronic components. PMR280UN,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMR280UN,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMR280UN,115 Atributos do produto

    Número da peça : PMR280UN,115
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416
    Series : TrenchMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 980mA (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 200mA, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.89nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±8V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 45pF @ 20V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 530mW (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-75
    Pacote / caso : SC-75, SOT-416

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