Rohm Semiconductor - RSH125N03TB1

KEY Part #: K6420004

RSH125N03TB1 Preços (USD) [151133pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.27055
  • 2,500 pcs$0.26921

Número da peça:
RSH125N03TB1
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RSH125N03TB1 Atributos do produto

Número da peça : RSH125N03TB1
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1670pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)
Temperatura de operação : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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