Rohm Semiconductor - RCJ120N25TL

KEY Part #: K6393556

RCJ120N25TL Preços (USD) [168505pcs Estoque]

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Número da peça:
RCJ120N25TL
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 12A LPT.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RCJ120N25TL Atributos do produto

Número da peça : RCJ120N25TL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 250V 12A LPT
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : LPTS (SC-83)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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