APT28M120B2 Preços (USD) [4081pcs Estoque]
- 1 pcs$11.67516
- 10 pcs$10.79952
- 100 pcs$9.22342
- Número da peça:
- APT28M120B2
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APT28M120B2 electronic components. APT28M120B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT28M120B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT28M120B2 Atributos do produto
Número da peça :
APT28M120B2
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Series :
POWER MOS 8™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
560 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
300nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9670pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1135W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
T-MAX™ [B2]
Pacote / caso :
TO-247-3 Variant
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