FDMS1D4N03S Preços (USD) [94023pcs Estoque]
- 1 pcs$0.41794
- 3,000 pcs$0.41586
- Número da peça:
- FDMS1D4N03S
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDMS1D4N03S electronic components. FDMS1D4N03S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS1D4N03S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMS1D4N03S Atributos do produto
Número da peça :
FDMS1D4N03S
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Series :
PowerTrench®, SyncFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
211A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.09 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
10250pF @ 15V
Recurso FET :
Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.) :
74W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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