Infineon Technologies - AUIRFSL4115

KEY Part #: K6417460

AUIRFSL4115 Preços (USD) [31819pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.29526
  • 1,000 pcs$1.18837

Número da peça:
AUIRFSL4115
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N CH 150V 99A TO262.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFSL4115 Atributos do produto

Número da peça : AUIRFSL4115
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N CH 150V 99A TO262
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 99A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.1 mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5270pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 375W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-262
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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