SSM3J353F,LF Preços (USD) [1087457pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03760
- 3,000 pcs$0.03741
- Número da peça:
- SSM3J353F,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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SSM3J353F,LF Atributos do produto
Número da peça :
SSM3J353F,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Series :
U-MOSVI
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
3.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
+20V, -25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
159pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
600mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
S-Mini
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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