Rohm Semiconductor - RD3P130SPTL1

KEY Part #: K6393144

RD3P130SPTL1 Preços (USD) [130225pcs Estoque]

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Número da peça:
RD3P130SPTL1
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
PCH -100V -13A POWER MOSFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RD3P130SPTL1 Atributos do produto

Número da peça : RD3P130SPTL1
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : PCH -100V -13A POWER MOSFET
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 20W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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