IPA60R650CEXKSA1 Preços (USD) [79254pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.39929
- 100 pcs$0.29844
- 500 pcs$0.23145
- 1,000 pcs$0.18272
- Número da peça:
- IPA60R650CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V TO-220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IPA60R650CEXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPA60R650CEXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Series :
CoolMOS™ CE
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
28W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-FP
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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