Infineon Technologies - SPA04N80C3XKSA1

KEY Part #: K6398323

SPA04N80C3XKSA1 Preços (USD) [50826pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.76930

Número da peça:
SPA04N80C3XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPA04N80C3XKSA1 Atributos do produto

Número da peça : SPA04N80C3XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 240µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 570pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 38W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-FP
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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