Diodes Incorporated - DMN2058UW-7

KEY Part #: K6393322

DMN2058UW-7 Preços (USD) [1166683pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03170

Número da peça:
DMN2058UW-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHAN 8V 24V SOT323.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2058UW-7 electronic components. DMN2058UW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2058UW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2058UW-7 Atributos do produto

Número da peça : DMN2058UW-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CHAN 8V 24V SOT323
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 281pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-323
Pacote / caso : SC-70, SOT-323