ON Semiconductor - NTTFS5826NLTAG

KEY Part #: K6415756

NTTFS5826NLTAG Preços (USD) [280853pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.13236
  • 1,500 pcs$0.13170

Número da peça:
NTTFS5826NLTAG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTTFS5826NLTAG Atributos do produto

Número da peça : NTTFS5826NLTAG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.1W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-WDFN (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerWDFN

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