STMicroelectronics - STW56N65M2-4

KEY Part #: K6416538

STW56N65M2-4 Preços (USD) [15114pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$2.13675

Número da peça:
STW56N65M2-4
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V I2PAKFP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW56N65M2-4 Atributos do produto

Número da peça : STW56N65M2-4
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
Series : MDmesh™ M2
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 49A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3900pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 358W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-4L
Pacote / caso : TO-247-4

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