IRF3710LPBF Preços (USD) [83162pcs Estoque]
- 1 pcs$0.86129
- 10 pcs$0.77892
- 100 pcs$0.62585
- 500 pcs$0.48677
- 1,000 pcs$0.40332
- Número da peça:
- IRF3710LPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 57A TO-262.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF3710LPBF electronic components. IRF3710LPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3710LPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF3710LPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF3710LPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
57A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3130pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
200W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-262
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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