IPB45N06S409ATMA2 Preços (USD) [119701pcs Estoque]
- 1 pcs$0.30900
- 1,000 pcs$0.28348
- Número da peça:
- IPB45N06S409ATMA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IPB45N06S409ATMA2 Atributos do produto
Número da peça :
IPB45N06S409ATMA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Series :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
45A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.4 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 34µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3785pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
71W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-3-2
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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