NTMFS4H02NFT3G Preços (USD) [45807pcs Estoque]
- 1 pcs$0.85786
- 5,000 pcs$0.85359
- Número da peça:
- NTMFS4H02NFT3G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
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NTMFS4H02NFT3G Atributos do produto
Número da peça :
NTMFS4H02NFT3G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
37A (Ta), 193A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
40.9nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2652pF @ 12V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.13W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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