FQA55N25 Preços (USD) [13079pcs Estoque]
- 1 pcs$3.06286
- 10 pcs$2.73366
- 100 pcs$2.24149
- 500 pcs$1.81504
- 1,000 pcs$1.53076
- Número da peça:
- FQA55N25
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQA55N25 electronic components. FQA55N25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA55N25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQA55N25 Atributos do produto
Número da peça :
FQA55N25
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
55A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6250pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
310W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3PN
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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