TK12A60D(STA4,Q,M) Preços (USD) [68442pcs Estoque]
- 1 pcs$0.60901
- 2,500 pcs$0.60598
- Número da peça:
- TK12A60D(STA4,Q,M)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
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TK12A60D(STA4,Q,M) Atributos do produto
Número da peça :
TK12A60D(STA4,Q,M)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
Series :
π-MOSVII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
550 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
45W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SIS
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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