Central Semiconductor Corp - CEDM8001VL TR

KEY Part #: K6416051

CEDM8001VL TR Preços (USD) [942755pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04337
  • 8,000 pcs$0.04316

Número da peça:
CEDM8001VL TR
Fabricante:
Central Semiconductor Corp
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CEDM8001VL TR Atributos do produto

Número da peça : CEDM8001VL TR
Fabricante : Central Semiconductor Corp
Descrição : MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.66nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 45pF @ 3V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 100mW (Ta)
Temperatura de operação : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-883VL
Pacote / caso : SC-101, SOT-883
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