Vishay Siliconix - SI1499DH-T1-GE3

KEY Part #: K6397513

SI1499DH-T1-GE3 Preços (USD) [324558pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.10724

Número da peça:
SI1499DH-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1499DH-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SI1499DH-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 4V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-70-6 (SOT-363)
Pacote / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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