IXYS - IXFN80N60P3

KEY Part #: K6393793

IXFN80N60P3 Preços (USD) [4410pcs Estoque]

  • 1 pcs$10.80416
  • 10 pcs$9.99384
  • 100 pcs$8.53528

Número da peça:
IXFN80N60P3
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN80N60P3 Atributos do produto

Número da peça : IXFN80N60P3
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Series : HiPerFET™, Polar3™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 66A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 13100pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 960W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227B
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC

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