IRFHM8334TRPBF Preços (USD) [301457pcs Estoque]
- 1 pcs$0.12270
- 4,000 pcs$0.10522
- Número da peça:
- IRFHM8334TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFHM8334TRPBF electronic components. IRFHM8334TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHM8334TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFHM8334TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFHM8334TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1180pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.7W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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