STMicroelectronics - STP20NM60FD

KEY Part #: K6397414

STP20NM60FD Preços (USD) [28205pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.46850
  • 1,000 pcs$1.46119

Número da peça:
STP20NM60FD
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP20NM60FD Atributos do produto

Número da peça : STP20NM60FD
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Series : FDmesh™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 192W (Tc)
Temperatura de operação : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3