NTZS3151PT1H Preços (USD) [13455pcs Estoque]
- 8,000 pcs$0.04046
- Número da peça:
- NTZS3151PT1H
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTZS3151PT1H electronic components. NTZS3151PT1H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTZS3151PT1H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTZS3151PT1H Atributos do produto
Número da peça :
NTZS3151PT1H
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
860mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
458pF @ 16V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
170mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-563-6
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
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